Tranzystory MOSFET

Tranzystory MOSFET określane jako „wzbogacane” czyli enhancement mode MOSFET:

Nie przewodzą prądu, gdy nie ma sygnału sterującego (napięcia) na bramce

Przewodzą, gdy nie ma sygnału sterującego (napięcia) na bramce

Przewodzą, gdy napięcie dren-źródło wzrośnie do napięcia progowego UGS(th)

Dla tranzystora MOSFET z kanałem N:

Dren musi być ujemny w stosunku do źródła (Source)

Dren musi być dodatni w stosunku do źródła (Source)

Dren musi być dodatni w stosunku do bramki (Gate)

Ze względu na obecność izolującej warstwy tlenku pomiędzy bramką, a strukturą półprzewodnikową tranzystora MOSFET, przez bramkę:

nie przepływa żaden prąd

nie przepływa żaden prąd zmienny

nie przepływa żaden prąd stały

Co oznacza określnie D-MOSFET:

Digital-MOSFET – tranzystor sterowany cyfrowo

Tranzystor MOSFET z wbudowana diodą

To specjalna struktura tranzystorów MOSFET pozwalająca osiągnąć bardzo małą rezystancję w stanie załączenia – RDS(ON)

Charakterystyka wyjściowa tranzystora MOSFET:

Ogranicza się do obszaru nasycenia, gdzie MOSFET zachowuje się jak źródło prądu stałego

Jest liniowa, dlatego MOSFET może działać jako wzmacniacz liniowy

Ma dwa wyraźnie rozróżnialne obszary działania – liniowy i nasycenia

Kiedy przez bramkę tranzystora MOSFET przepływa prąd?

Gdy przyłożysz impuls napięcia do bramki, aby przełączyć stan tranzystora MOSFET np. z wyłączenia na włączenie

Gdy przez tranzystor (źródło-dren) przepływa prąd

Gdy napięcie bramki przekroczy napięcie progowe UGS(th)

Jaki warunek należy spełnić, aby połączyć równolegle tranzystory MOSFET?

Należy zastosować rezystory wyrównujące prądy

Należy zadbać o to, aby nie wpływały nie siebie termicznie np. poprzez osobne radiatory

Należy sterować osobno każdą bramką grupy tranzystorów

Czy tranzystor MOSFET można uszkodzić samym dotknięciem?

Cienka izolacja obwodu bramki jest wrażliwa na ładunki statyczne, przenoszone np. na dłoniach

Tranzystory MOSFET przewodzą nawet bardzo duże prądy, dlatego są niewrażliwe na bardzo małe prądy wywołane dotknięciem

Wewnętrzna pojemność pasożytnicza zabezpiecza tranzystor MOSFET przed uszkodzeniami wynikającymi z ładunków statycznych przenoszonych np. na dłoniach

Czy można sterować MOSFET-em z obwodu TTL?

Tak, napięcie 5 V całkowicie wystarczy do sterownia każdym tranzystorem MOSFET

Nie, napięcie 5 V nigdy nie przekroczy napięcia progowego bramki tranzystora MOSFET

Tak, ale z dodatkowym obwodem zapewniającym napięcie sterujące co najmniej 10 V

Budowa mostka typu H:

jest możliwa tylko z użyciem dwóch MOSFET-ów typu N i dwóch MOSFET-ów typu P

jest możliwa z użyciem czterech MOSFET-ów typu N i sterownika z obwodem sterowania „high-side”

jest możliwa tylko z użyciem tranzystorów bipolarnych